MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

International Rectifier

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:2 个 P 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:51 毫欧 @ 3.7A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1090pF @ 15V,功率 - 最大值:1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）,供应商器件封装:8-TSSOP

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